SiC सब्सट्रेट
वर्णन
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हे गट IV-IV चे बायनरी कंपाऊंड आहे, नियतकालिक सारणीच्या गट IV मधील हे एकमेव स्थिर घन संयुग आहे, ते एक महत्त्वाचे अर्धसंवाहक आहे.SiC मध्ये उत्कृष्ट थर्मल, यांत्रिक, रासायनिक आणि विद्युत गुणधर्म आहेत, ज्यामुळे ते उच्च-तापमान, उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे बनवण्यासाठी सर्वोत्तम सामग्री बनते, SiC एक सब्सट्रेट सामग्री म्हणून देखील वापरली जाऊ शकते. GaN-आधारित निळ्या प्रकाश-उत्सर्जक डायोडसाठी.सध्या, 4H-SiC ही बाजारपेठेतील मुख्य प्रवाहातील उत्पादने आहेत आणि चालकता प्रकार अर्ध-इन्सुलेटिंग प्रकार आणि N प्रकारात विभागलेला आहे.
गुणधर्म
| आयटम | 2 इंच 4H N-प्रकार | ||
| व्यासाचा | 2 इंच (50.8 मिमी) | ||
| जाडी | 350+/-25um | ||
| अभिमुखता | बंद अक्ष 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ दिशेने | ||
| प्राथमिक फ्लॅट ओरिएंटेशन | <1-100> ± 5° | ||
| दुय्यम फ्लॅट अभिमुखता | प्राथमिक फ्लॅट ± 5.0˚ पासून 90.0˚ CW, Si फेस अप | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | 16 ± 2.0 | ||
| दुय्यम सपाट लांबी | 8 ± 2.0 | ||
| ग्रेड | उत्पादन श्रेणी (P) | संशोधन श्रेणी (R) | डमी ग्रेड (डी) |
| प्रतिरोधकता | ०.०१५~०.०२८ Ω·सेमी | < ०.१ Ω· सेमी | < ०.१ Ω· सेमी |
| मायक्रोपाईप घनता | ≤ 1 मायक्रोपाईप्स/ सेमी² | ≤ 1 0मायक्रोपाइप्स/ सेमी² | ≤ 30 मायक्रोपाइप्स/ सेमी² |
| पृष्ठभागीय खडबडीतपणा | सी फेस सीएमपी रा <0.5 एनएम, सी फेस रा <1 एनएम | N/A, वापरण्यायोग्य क्षेत्र > 75% | |
| TTV | < 8 उम | < 10um | < 15 उम |
| धनुष्य | < ±8 उम | < ±10um | < ±15um |
| ताना | < 15 उम | < 20 उम | < 25 उम |
| भेगा | काहीही नाही | संचयी लांबी ≤ 3 मिमी | संचयी लांबी ≤10 मिमी, |
| ओरखडे | ≤ 3 स्क्रॅच, संचयी | ≤ 5 स्क्रॅच, संचयी | ≤ 10 स्क्रॅच, संचयी |
| हेक्स प्लेट्स | जास्तीत जास्त 6 प्लेट्स, | जास्तीत जास्त 12 प्लेट्स, | N/A, वापरण्यायोग्य क्षेत्र > 75% |
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र ≤ 5% | संचयी क्षेत्र ≤ 10% |
| घाण | काहीही नाही | ||
